2SC5010-A参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SC5010-A概述

Trans RF BJT NPN 6V 0.03A T/R

RF Transistor NPN 6V 30mA 12GHz 125mW Surface Mount

得捷:
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523

艾睿:
Trans RF BJT NPN 6V 0.03A T/R

2SC5010-A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 125 mW

击穿电压集电极-发射极 6 V

增益 8.5 dB

最小电流放大倍数hFE 75 @10mA, 3V

额定功率Max 125 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 125 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC5010-A

型号： 2SC5010-A

制造商： California Eastern Laboratories

描述：Trans RF BJT NPN 6V 0.03A T/R