2N5339

2N5339图片1
2N5339概述

Trans GP BJT NPN 100V 5A 3Pin TO-39 Box

Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 6000 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

2N5339中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 6000 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 6000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买2N5339
型号: 2N5339
制造商: Central Semiconductor
描述:Trans GP BJT NPN 100V 5A 3Pin TO-39 Box
替代型号2N5339
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N5339

Central Semiconductor

当前型号

当前型号

JAN2N5339

美高森美

功能相似

2N5339和JAN2N5339的区别

JANS2N5339

美高森美

功能相似

2N5339和JANS2N5339的区别

JANTX2N5339

Semicoa Semiconductor

功能相似

2N5339和JANTX2N5339的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司