2N7002DW H6327中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
耗散功率 0.5 W
阈值电压 2.1 V
上升时间 3.3 ns
输入电容Ciss 13pF @25VVds
下降时间 3.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.90 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买2N7002DW H6327
型号： 2N7002DW H6327
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON 2N7002DW H6327 场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 60V, 0.3A, SOT-363-6