2N708

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2N708中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 120

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-18

外形尺寸

宽度 5.84 mm

封装 TO-18

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买2N708
型号: 2N708
制造商: Central Semiconductor
描述:Trans GP BJT NPN 15V 3Pin TO-18 Box
替代型号2N708
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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