2SJ529S-E

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2SJ529S-E中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 60 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SJ529S-E
型号: 2SJ529S-E
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3Pin2+Tab DPAKS
替代型号2SJ529S-E
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