额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC858BLT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC858BLT1G 安森美 | 类似代替 | BC858BLT1和BC858BLT1G的区别 |
BC858BWT1G 安森美 | 类似代替 | BC858BLT1和BC858BWT1G的区别 |
BC858BLT3G 安森美 | 类似代替 | BC858BLT1和BC858BLT3G的区别 |