BC858BLT1和BC858BWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858BLT1 BC858BWT1G BC858A

描述 BJT 100mA 30V PNPPNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

极性 PNP PNP -

耗散功率 225 mW 150 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 220 220 @2mA, 5V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -50 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 150 mW 250 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

频率 - 100 MHz -

针脚数 - 3 -

额定功率(Max) - 150 mW -

直流电流增益(hFE) - 220 -

长度 2.9 mm 2.2 mm -

宽度 1.3 mm 1.35 mm -

高度 0.94 mm 0.9 mm -

封装 SOT-23-3 SC-70-3 SOT-23

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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