BSS119 L6433

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BSS119 L6433中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 6000 mΩ

耗散功率 360 mW

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 3.1 ns

输入电容Ciss 78pF @25VVds

额定功率Max 360 mW

下降时间 3.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSS119 L6433
型号: BSS119 L6433
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3Pin SOT-23 T/R

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