PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
得捷:
TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 P-Channel
耗散功率 400 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMUN2111LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2111LT1G 安森美 | 类似代替 | MMUN2111LT1和MMUN2111LT1G的区别 |
MMUN2111LT3G 安森美 | 类似代替 | MMUN2111LT1和MMUN2111LT3G的区别 |
FJV4102RMTF 安森美 | 类似代替 | MMUN2111LT1和FJV4102RMTF的区别 |