对比图
型号 MMUN2111LT1 MMUN2111LT1G MMUN2111LT3G
描述 PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORON SEMICONDUCTOR MMUN2111LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = 10千？ Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V
额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
极性 P-Channel PNP PNP
耗散功率 400 mW 0.4 W 0.4 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 - 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 35 @5mA, 10V 35 @5mA, 10V
额定功率(Max) 246 mW 246 mW 246 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 400 mW 400 mW 400 mW
额定功率 - 246 mW -
最大电流放大倍数(hFE) - 35 -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 - 2.9 mm -
宽度 - 1.3 mm -
高度 - 0.94 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99