MMUN2111LT1和MMUN2111LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2111LT1 MMUN2111LT3G FJV4102RMTF

描述 PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 10千? Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=10KΩ,R2=10KΩ)•到FJV3102R补

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 P-Channel PNP PNP

耗散功率 400 mW 0.4 W 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 35 @5mA, 10V 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) 246 mW 246 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 400 mW -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

高度 - - 0.93 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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