SSM3K03FETPL3,F

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SSM3K03FETPL3,F中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 12 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 100 mW

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 100 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 ESM

外形尺寸

封装 ESM

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SSM3K03FETPL3,F
型号: SSM3K03FETPL3,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 20 V, 12 ohm, 2.5 V, 1.3 V

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