FDAF62N28概述
280V N沟道MOSFET 280V N-Channel MOSFET
N-Channel 280 V 36A Tc 165W Tc Through Hole TO-3PF
得捷:
MOSFET N-CH 280V 36A TO3PF
立创商城:
N沟道 280V 36A
贸泽:
MOSFET 280V 36A NCH MOSFET
FDAF62N28中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 280 V
额定电流 36.0 A
通道数 1
漏源极电阻 51 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 165 W
输入电容 4.63 nF
栅电荷 100 nC
漏源极电压Vds 280 V
漏源击穿电压 280 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 36.0 A
上升时间 560 ns
输入电容Ciss 4630pF @25VVds
额定功率Max 165 W
下降时间 220 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 165W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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