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495220TU概述

NPN外延硅达林顿晶体管 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 325V 4A 40W Through Hole TO-220-3


得捷:
TRANS NPN DARL 325V 4A TO220-3


495220TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 325 V

额定电流 4.00 A

极性 NPN

耗散功率 40000 mW

击穿电压集电极-发射极 325 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 1000 @3A, 5V

额定功率Max 40 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买495220TU
型号: 495220TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN外延硅达林顿晶体管 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor

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