71V67703S85BQI参数规格_中文资料_数据手册PDF

71V67703S85BQI概述

静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW F/T

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 9Mb 256K x 36 Parallel 87MHz 8.5ns 165-CABGA 13x15

得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

贸泽:
静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW F/T

罗切斯特:
SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-bit 256K x 36 8.5ns 165-Pin CABGA Tray

71V67703S85BQI中文资料参数规格

技术参数

存取时间 8.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

引脚数 165

封装 CABGA-165

外形尺寸

长度 15 mm

宽度 13 mm

高度 1.2 mm

封装 CABGA-165

厚度 1.20 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买71V67703S85BQI

型号： 71V67703S85BQI

制造商： Integrated Device Technology 艾迪悌

描述：静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW F/T