IR2118PBF

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IR2118PBF概述

INFINEON  IR2118PBF  功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 105ns延迟, DIP-8

MOSFET 和 IGBT 驱动器,高侧,

Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用高侧配置。

### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier


得捷:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP


立创商城:
高边 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA


欧时:
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e络盟:
功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 105ns延迟, DIP-8


艾睿:
Driver 600V 0.5A 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin PDIP Tube


安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.5A 1-OUT Hi/Lo Side Inv 8-Pin PDIP


Chip1Stop:
Driver 600V 0.5A 1-OUT Hi/Lo Side Inv 8-Pin PDIP


TME:
Driver; high-side switch, gate driver; -420÷200mA; 1W; Channels:1


Verical:
Driver 600V 0.5A 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin PDIP Tube


Newark:
# INFINEON  IR2118PBF  IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW SIDE, DIP-8


IR2118PBF中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 10.0V min

额定功率 1 W

上升/下降时间 80ns, 40ns

输出接口数 1

输出电压 620 V

输出电流 250 mA

通道数 1

针脚数 8

耗散功率 1000 mW

下降时间Max 65 ns

上升时间Max 130 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1000 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 PDIP-8

外形尺寸

长度 10.92 mm

宽度 7.11 mm

高度 5.33 mm

封装 PDIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IR2118PBF引脚图与封装图
IR2118PBF电路图
在线购买IR2118PBF
型号: IR2118PBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IR2118PBF  功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 105ns延迟, DIP-8
替代型号IR2118PBF
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Infineon 英飞凌

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