INFINEON IRF3205SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET，55V，
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 200 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
阈值电压 4 V
输入电容 3247pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 110A
上升时间 101 ns
输入电容Ciss 3247pF @25VVds
额定功率Max 200 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF3205SPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF3205STRLPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF3205SPBF和IRF3205STRLPBF的区别 |
IRF3205STRRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF3205SPBF和IRF3205STRRPBF的区别 |
IRF3205S 英飞凌 | 功能相似 | IRF3205SPBF和IRF3205S的区别 |