对比图
型号 IRF3205SPBF IRF3205STRLPBF IRF3205STRRPBF
描述 INFINEON IRF3205SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRF3205STRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 55V 110A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 200 W 200 W 200 W
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.008 Ω 0.008 Ω 8 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 200 W 200 W 200 W
阈值电压 4 V 4 V 2V ~ 4V
输入电容 3247pF @25V 3247 pF 3247 pF
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 110A 110A 110A
上升时间 101 ns 101 ns 101 ns
输入电容(Ciss) 3247pF @25V(Vds) 3247pF @25V(Vds) 3247pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 200 W -
下降时间 65 ns 65 ns 65 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc)
通道数 - - 1
漏源击穿电压 55 V - 55 V
长度 10.67 mm 10.67 mm 6.5 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 6.22 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 2.3 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -