对比图
型号 IRF3205S IRF3205SPBF IRF3205STRLPBF
描述 D2PAK N-CH 55V 110AINFINEON IRF3205SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRF3205STRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 - 200 W 200 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.008 Ω 0.008 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 200 W 200 W
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - 3247pF @25V 3247 pF
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 110A 110A 110A
上升时间 101 ns 101 ns 101 ns
输入电容(Ciss) 3247pF @25V(Vds) 3247pF @25V(Vds) 3247pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 200 W 200 W
下降时间 65 ns 65 ns 65 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 200W (Tc) 200W (Tc)
漏源击穿电压 - 55 V -
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm 9.65 mm
高度 - 4.83 mm 4.83 mm
封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17