PHE13003C,412

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PHE13003C,412概述

PHE13003C,412 袋装

- 双极 BJT - 单 NPN 400 V 1.5 A - 2.1 W 通孔 TO-92-3


得捷:
TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 2.1 W, 1.5 A, 17 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 2100mW 3-Pin SPT Bulk


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin SPT Bulk


立创商城:
PHE13003C,412


PHE13003C,412中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2.1 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 2.1 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 5 @1A, 2V

额定功率Max 2.1 W

直流电流增益hFE 17

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PHE13003C,412
型号: PHE13003C,412
制造商: We En Semiconductor
描述:PHE13003C,412 袋装
替代型号PHE13003C,412
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PHE13003C,412

We En Semiconductor

当前型号

当前型号

PHE13003C,126

We En Semiconductor

完全替代

PHE13003C,412和PHE13003C,126的区别

PHD13003C,412

We En Semiconductor

类似代替

PHE13003C,412和PHD13003C,412的区别

STBV32G

意法半导体

功能相似

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