INFINEON IRFZ44VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 60 V, 16.5 mohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VPBF, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
立创商城:
N沟道 60V 55A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 60 V, 0.0165 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDSON 16.5 Milliohms; ID 55A; TO-220AB; PD 115W; -55de
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220AB
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 55A; 115W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# INFINEON IRFZ44VPBF MOSFET Transistor, N Channel, 55 A, 60 V, 16.5 mohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB
额定功率 115 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0165 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 115 W
阈值电压 4 V
输入电容 1812pF @25V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 55A
上升时间 97 ns
输入电容Ciss 1812pF @25VVds
额定功率Max 115 W
下降时间 57 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.4 mm
高度 8.77 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IRFZ44VPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFZ48VPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFZ44VPBF和IRFZ48VPBF的区别 |
STP55NF06 意法半导体 | 功能相似 | IRFZ44VPBF和STP55NF06的区别 |