对比图
型号 IRFZ44VPBF STP55NF06 IRFZ48VPBF
描述 INFINEON IRFZ44VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 60 V, 16.5 mohm, 10 V, 4 VMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINFINEON IRFZ48VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 115 W 110 W 150 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0165 Ω 0.015 Ω 0.012 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 115 W 30 W 150 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
输入电容 1812pF @25V - 1985 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 55A 50.0 A 72A
上升时间 97 ns 50 ns 200 ns
输入电容(Ciss) 1812pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1985pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 115 W 110 W 150 W
下降时间 57 ns 15 ns 166 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 115W (Tc) 110W (Tc) 150W (Tc)
额定电压(DC) - 60.0 V -
额定电流 - 50.0 A -
通道数 - 1 -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.66 mm
宽度 4.4 mm 4.6 mm -
高度 8.77 mm 9.15 mm 8.77 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -