对比图
型号 IRFZ44VPBF IRFZ48VPBF STP55NF06
描述 INFINEON IRFZ44VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 60 V, 16.5 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFZ48VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 VMOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 115 W 150 W 110 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0165 Ω 0.012 Ω 0.015 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 115 W 150 W 30 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
输入电容 1812pF @25V 1985 pF -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60 V 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 55A 72A 50.0 A
上升时间 97 ns 200 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 1812pF @25V(Vds) 1985pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 115 W 150 W 110 W
下降时间 57 ns 166 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 115W (Tc) 150W (Tc) 110W (Tc)
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 50.0 A
通道数 - - 1
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10.67 mm 10.66 mm 10.4 mm
高度 8.77 mm 8.77 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 4.4 mm - 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC