NTD20N06LT4参数规格_中文资料_数据手册PDF

NTD20N06LT4概述

功率MOSFET 20安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level

表面贴装型 N 通道 60 V 20A（Ta） 1.36W（Ta），60W（Tj） DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

NTD20N06LT4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 20.0 A

漏源极电阻 39.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.36 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±15.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 98.0 ns

输入电容Ciss 990pF @25VVds

耗散功率Max 1.36 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NTD20N06LT4

型号： NTD20N06LT4

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：功率MOSFET 20安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level

替代型号NTD20N06LT4