对比图
型号 NTD20N06LT4 NTD20N06LT4G NTD5867NLT4G
描述 功率MOSFET 20安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic LevelON SEMICONDUCTOR NTD20N06LT4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAKON SEMICONDUCTOR NTD5867NLT4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 20.0 A 20.0 A -
漏源极电阻 39.0 mΩ 0.039 Ω 0.026 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.36 W 60 W 36 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60 V 60 V
栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V -
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A, 20.0 mA -
上升时间 98.0 ns 98 ns 12.6 ns
输入电容(Ciss) 990pF @25V(Vds) 990pF @25V(Vds) 675pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 1.36 W 1.36 W 36W (Tc)
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 1.6 V 1.8 V
输入电容 - 7.7pF @25V 675 pF
额定功率(Max) - 1.36 W 36 W
下降时间 - 62 ns 2.4 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
额定功率 - 60 W -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.38 mm 2.38 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 - - NLR