BAS70-04参数规格_中文资料_数据手册PDF

BAS70-04概述

BAS70-04 串联肖特基二极管 70V 70mA 1V SOT-23/SC-59 marking/标记 74 高速开关高击穿电压

反向电压VrReverse Voltage | 70V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current | 70mA 最大正向压降VFForward VoltageVf | 1V 最大耗散功率PdPower dissipation | 250MW/0.25W Description & Applications | Silicon Schottky Diode

.: High breakdown voltage * Guard ring protected * Small plastic SMD package * Low diode capacitance. * Ultra high-speed switching * Voltage clamping 描述与应用 | 硅肖特基 *高击穿电压. *保护环保护. *SMD封装. *低电容二极管. *超高速开关. *电压钳位.

BAS70-04中文资料参数规格

技术参数

正向电压 410 mV

正向电流 70 mA

最大正向浪涌电流（Ifsm） 100 mA

正向电压Max 410 mV

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

数据手册

在线购买BAS70-04

型号： BAS70-04

制造商： Infineon 英飞凌

描述：BAS70-04 串联肖特基二极管 70V 70mA 1V SOT-23/SC-59 marking/标记 74 高速开关高击穿电压

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替代型号BAS70-04

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