NTE129

NTE129图片1
NTE129图片2
NTE129图片3
NTE129图片4
NTE129概述

Transistor; PNP; TO-39; 80V Max.; 80V Max.; 5V Max.; 1A Max.; 25

Description:

The NTE128 NPN and PNP are silicon complementary transistors in a TO39 type package designed primarily for amplifier and switching applications. These devices features high breakdown voltages, low leakage currents, low capacity, and a beta useful over an extremely wide current range.


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin TO-39


Newark:
# NTE ELECTRONICS  NTE129  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -80 V, 50 MHz, 7 W, -1 A, 300 hFE


MASTER:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin TO-39


Electro Sonic:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin TO-39


NTE129中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 7 W

集电极击穿电压 80.0 V min

击穿电压集电极-发射极 80.0 V

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8541290075

数据手册

在线购买NTE129
型号: NTE129
制造商: NTE Electronics
描述:Transistor; PNP; TO-39; 80V Max.; 80V Max.; 5V Max.; 1A Max.; 25
替代型号NTE129
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

NTE129

NTE Electronics

当前型号

当前型号

MJB42CT4G

安森美

功能相似

NTE129和MJB42CT4G的区别

MJD32

摩托罗拉

功能相似

NTE129和MJD32的区别

BFN39

美台

功能相似

NTE129和BFN39的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台