IRF1405STRLPBF

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IRF1405STRLPBF概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET,55V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


得捷:
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK


立创商城:
N沟道 55V 131A


贸泽:
MOSFET MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 131 A, 55 V, 0.0046 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 131A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 131A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# INFINEON  IRF1405STRLPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 131 A, 55 V, 5.3 mohm, 10 V, 4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK


IRF1405STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 200 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0053 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

阈值电压 4 V

输入电容 5480 pF

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 131A

上升时间 190 ns

输入电容Ciss 5480pF @25VVds

下降时间 110 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 11.3 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRF1405STRLPBF
型号: IRF1405STRLPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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