对比图
型号 IRF1405STRLPBF IRF1405STRRPBF IRF1405SPBF
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 55V 131AN 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 200 W - 200 W
漏源极电阻 0.0053 Ω 5.3 mΩ 0.0053 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 200 W 200 W 200 W
阈值电压 4 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 131A 131A 131A
上升时间 190 ns 190 ns 190 ns
输入电容(Ciss) 5480pF @25V(Vds) 5480pF @25V(Vds) 5480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 200 W
下降时间 110 ns 110 ns 110 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc)
通道数 1 1 -
漏源击穿电压 55 V 55 V -
针脚数 3 - -
输入电容 5480 pF - -
长度 10.67 mm 6.5 mm 10.67 mm
宽度 11.3 mm 6.22 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 2.3 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17