N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET,55V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
欧时:
### N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
贸泽:
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
富昌:
单 N 沟道 55 V 200 W 170 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Newark:
# INFINEON IRF1405SPBF MOSFET Transistor, N Channel, 131 A, 55 V, 5.3 mohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
额定功率 200 W
漏源极电阻 0.0053 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 131A
上升时间 190 ns
输入电容Ciss 5480pF @25VVds
额定功率Max 200 W
下降时间 110 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRF1405SPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF1405STRLPBF 英飞凌 | 完全替代 | IRF1405SPBF和IRF1405STRLPBF的区别 |
IRF1405STRRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF1405SPBF和IRF1405STRRPBF的区别 |
IRF1405S 英飞凌 | 类似代替 | IRF1405SPBF和IRF1405S的区别 |