IRF1405SPBF

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IRF1405SPBF概述

N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET,55V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK


欧时:
### N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


贸泽:
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


富昌:
单 N 沟道 55 V 200 W 170 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


Newark:
# INFINEON  IRF1405SPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 131 A, 55 V, 5.3 mohm, 10 V, 4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK


IRF1405SPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 200 W

漏源极电阻 0.0053 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 131A

上升时间 190 ns

输入电容Ciss 5480pF @25VVds

额定功率Max 200 W

下降时间 110 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRF1405SPBF
型号: IRF1405SPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRF1405SPBF
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