对比图
型号 IRF1405S IRF1405SPBF IRF1405STRLPBF
描述 D2PAK N-CH 55V 131AN 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 131 A - -
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 200W (Tc) 200 W 200 W
产品系列 IRF1405S - -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 131 A 131A 131A
上升时间 190 ns 190 ns 190 ns
输入电容(Ciss) 5480pF @25V(Vds) 5480pF @25V(Vds) 5480pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc)
额定功率 - 200 W 200 W
漏源极电阻 - 0.0053 Ω 0.0053 Ω
阈值电压 - 4 V 4 V
额定功率(Max) - 200 W -
下降时间 - 110 ns 110 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
输入电容 - - 5480 pF
漏源击穿电压 - - 55 V
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm 11.3 mm
高度 - 4.83 mm 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Bulk Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17