IRF1405SPBF和IRF1405STRRPBF

对比图

型号 IRF1405SPBF IRF1405STRRPBF IRF1405S

描述 N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 55V 131AD2PAK N-CH 55V 131A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 131 A

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 200 W 200 W 200W (Tc)

产品系列 - - IRF1405S

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 131A 131A 131 A

上升时间 190 ns 190 ns 190 ns

输入电容(Ciss) 5480pF @25V(Vds) 5480pF @25V(Vds) 5480pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.0053 Ω 5.3 mΩ -

漏源击穿电压 - 55 V -

下降时间 110 ns 110 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率 200 W - -

阈值电压 4 V - -

额定功率(Max) 200 W - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm 6.5 mm -

宽度 9.65 mm 6.22 mm -

高度 4.83 mm 2.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -