对比图
型号 IRLR8726PBF IRLR8726TRPBF STD17NF03LT4
描述 INFINEON IRLR8726PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.004 Ω 0.004 Ω 0.05 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 75 W 75 W 30 W
阈值电压 1.8 V 1.8 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 86A 86A 17.0 A
上升时间 49 ns 49 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 2150pF @15V(Vds) 2150pF @15V(Vds) 320pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 75 W 75 W 30 W
下降时间 16 ns 16 ns 22 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 75000 mW 75W (Tc) 30W (Tc)
额定功率 75 W - -
通道数 1 - -
漏源击穿电压 30 V - 30.0 V
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 17.0 A
输入电容 - - 320 pF
栅源击穿电压 - - ±16.0 V
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 7.49 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99