BCP5116E6327HTSA1

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BCP5116E6327HTSA1概述

SOT-223 PNP 45V 1A

Bipolar BJT Transistor PNP 45V 1A 125MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4


得捷:
TRANS PNP 45V 1A SOT223-4


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 1A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
AF TRANSISTORS


Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


BCP5116E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 125 MHz

极性 PNP

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCP5116E6327HTSA1
型号: BCP5116E6327HTSA1
描述:SOT-223 PNP 45V 1A
替代型号BCP5116E6327HTSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCP5116E6327HTSA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BCP51-16,115

恩智浦

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BCP5116E6327HTSA1和BCP51-16,115的区别

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