BDX66C

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BDX66C概述

Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, -120V, 7MHz, 150W, -16A, 1000 hFE

Bipolar PNP Device.

VCEO = 120V

IC = 16A


BDX66C中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 150 W

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 200 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BDX66C
型号: BDX66C
制造商: Semelab
描述:Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, -120V, 7MHz, 150W, -16A, 1000 hFE
替代型号BDX66C
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