对比图
描述 SIPMOS大功率晶体管（ N沟道增强模式） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)SIPMOS大功率晶体管（N沟道增强型雪崩额定） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)N - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
极性 - N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) - 4A 4.00 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 2.4 Ω
耗散功率 100W (Tc) - 110 W
漏源击穿电压 - - 800 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
上升时间 - - 70 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 65 ℃
输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) - -
耗散功率(Max) 100W (Tc) - -
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 4.6 mm
高度 - - 9.15 mm
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Obsolete Unknown
包装方式 Tube - -
RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -