BSP321P L6327中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.689 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.8 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 4.4 ns
输入电容Ciss 319pF @25VVds
额定功率Max 1.8 W
下降时间 8.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买BSP321P L6327
型号： BSP321P L6327
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSP321P L6327 MOSFET Transistor, P Channel, -980mA, -100V, 0.689Ω, -10V, -3V