BF1101WR115

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BF1101WR115中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 7.00 V

连续漏极电流Ids 30.0 mA

封装参数

引脚数 4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BF1101WR115
制造商: NXP 恩智浦
描述:MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R

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