BSC889N03LS G

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BSC889N03LS G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 2.2 ns

输入电容Ciss 1300pF @15VVds

额定功率Max 28 W

下降时间 2.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSC889N03LS G
型号: BSC889N03LS G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8

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