FQD8P10TF_NB82052参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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FQD8P10TF_NB82052中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 2.5W Ta, 44W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 6.6A

输入电容Ciss 470pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 44W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQD8P10TF_NB82052

型号： FQD8P10TF_NB82052

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3Pin2+Tab DPAK T/R

替代型号FQD8P10TF_NB82052

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