UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 250V 69A Tc 480W Tc Through Hole TO-3PN
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube
DeviceMart:
MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P
Win Source:
MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P
额定电压DC 250 V
额定电流 69.0 A
漏源极电阻 41.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 480 W
输入电容 4.64 nF
栅电荷 100 nC
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 69.0 A
上升时间 885 ns
输入电容Ciss 4640pF @25VVds
额定功率Max 480 W
下降时间 220 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99