对比图
型号 FQD8P10TF_NB82052 FQD8P10TM_F085
描述 Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
通道数 - 1
极性 P-CH P-CH
耗散功率 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 6.6A 6.6A
上升时间 - 110 ns
输入电容(Ciss) 470pF @25V(Vds) 470pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W
下降时间 - 35 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -