FDG6313N_NL

FDG6313N_NL图片1
FDG6313N_NL中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 340 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 300 mW

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

栅源击穿电压 8.00 V

连续漏极电流Ids 500 mA

上升时间 8.5 ns

下降时间 8.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.1 mm

封装 SC-70-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDG6313N_NL
型号: FDG6313N_NL
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET 25V Dual N-Ch
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