FDG6313N和FDG6313N_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDG6313N FDG6313N_NL FDC6303N

描述 FDG6313N 复合场效应管 25V 500mA/0.5A SOT-363/SC70-6 marking/标记 33hMOSFET 25V Dual N-ChFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6303N  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 680 mA, 25 V, 450 mohm, 4.5 V, 800 mV

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 TSOT-23-6

通道数 - 2 -

漏源极电阻 340 mΩ 340 mΩ 450 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 300 mW 300 mW 900 mW

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V

漏源击穿电压 25.0 V 25 V 25.0 V

栅源击穿电压 8.00 V 8.00 V 8.00 V

连续漏极电流(Ids) 500 mA 500 mA 680 mA

上升时间 8.50 ns 8.5 ns 8.5 ns

下降时间 - 8.5 ns 13 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) 25.0 V - 25.0 V

额定电流 500 mA - 680 mA

输入电容 50.0 pF - 50.0 pF

栅电荷 1.64 nC - 1.64 nC

输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) - 50pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW - 700 mW

针脚数 - - 6

阈值电压 - - 800 mV

耗散功率(Max) - - 0.9 W

长度 - 2 mm 3 mm

宽度 - 1.25 mm 1.7 mm

高度 - 1.1 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6 TSOT-23-6

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

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