对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6303N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 680 mA, 25 V, 450 mohm, 4.5 V, 800 mVMOSFET 25V Dual N-Ch
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 TSOT-23-6 SC-70-6
针脚数 6 -
漏源极电阻 450 mΩ 340 mΩ
耗散功率 900 mW 300 mW
阈值电压 800 mV -
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V
上升时间 8.5 ns 8.5 ns
输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) 700 mW -
下降时间 13 ns 8.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 0.9 W -
通道数 - 2
极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel
漏源击穿电压 25.0 V 25 V
栅源击穿电压 8.00 V 8.00 V
连续漏极电流(Ids) 680 mA 500 mA
额定电压(DC) 25.0 V -
额定电流 680 mA -
输入电容 50.0 pF -
栅电荷 1.64 nC -
长度 3 mm 2 mm
宽度 1.7 mm 1.25 mm
高度 1 mm 1.1 mm
封装 TSOT-23-6 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99