ISL9N2357D3ST参数规格_中文资料_数据手册PDF

ISL9N2357D3ST中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 7.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

封装参数

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ISL9N2357D3ST

型号： ISL9N2357D3ST

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：30V ， 0.007欧姆， 35A ， N沟道UltraFET沟道功率MOSFET 30V, 0.007 Ohm, 35A, N-Channel UltraFET Trench Power MOSFET

替代型号ISL9N2357D3ST