对比图
型号 FDD8896 ISL9N2357D3ST FDD8896_F085
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8896 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.5 V30V ， 0.007欧姆， 35A ， N沟道UltraFET沟道功率MOSFET 30V, 0.007 Ohm, 35A, N-Channel UltraFET Trench Power MOSFETPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 94.0 A - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.0047 Ω 7.00 mΩ 5.7 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 80 W 100 W 80 W
阈值电压 2.5 V - -
输入电容 2.52 nF - -
栅电荷 46.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 94.0 A 35.0 A 17A
上升时间 106 ns - 106 ns
输入电容(Ciss) 2525pF @15V(Vds) - 2525pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 80 W - -
下降时间 41 ns - 41 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 80W (Tc) - 80W (Tc)
通道数 - - 1
长度 6.73 mm - 6.73 mm
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.39 mm - 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99