对比图
型号 ISL9N2357D3ST ISL9N306AD3ST FDD8896
描述 30V ， 0.007欧姆， 35A ， N沟道UltraFET沟道功率MOSFET 30V, 0.007 Ohm, 35A, N-Channel UltraFET Trench Power MOSFETN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET 30V ， 50A ， 6mз N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mзFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8896 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 3
漏源极电阻 7.00 mΩ 9.50 mΩ 0.0047 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 100 W 125 W 80 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 50.0 A 94.0 A
上升时间 - 70 ns 106 ns
下降时间 - 30 ns 41 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 94.0 A
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 2.5 V
输入电容 - - 2.52 nF
栅电荷 - - 46.0 nC
输入电容(Ciss) - - 2525pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 80 W
耗散功率(Max) - - 80W (Tc)
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99