IS42S16100E-6TLI

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IS42S16100E-6TLI概述

DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 50Pin TSOP-II

SDRAM Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 166MHz 5.5ns 50-TSOP II


得捷:
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II


贸泽:
DRAM 16M 1Mx16 166MHz SDR SDRAM, 3.3V


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II


安富利:
DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II


Win Source:
IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II / 512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM


IS42S16100E-6TLI中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 6 ns

存取时间Max 6ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 50

封装 TSOP-50

外形尺寸

长度 21.08 mm

宽度 10.29 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-50

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S16100E-6TLI
型号: IS42S16100E-6TLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 50Pin TSOP-II
替代型号IS42S16100E-6TLI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Integrated Silicon SolutionISSI

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