RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
静态 RAM,ISSI
**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。
电源:1.8V/3.3V/5V
提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择:x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP
立创商城:
IS61C5128AS-25QLI
欧时:
### 静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
贸泽:
静态随机存取存储器 4M 512Kx8 25ns Async 静态随机存取存储器
艾睿:
SRAM Chip Async Single 5V 4M-Bit 512K x 8 25ns 32-Pin SOP
安富利:
SRAM Chip Async Single 5V 4M-Bit 512K x 8 25ns 32-Pin SOP
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 25ns 32-Pin SOP
TME:
Memory; SRAM; 512kx8bit; 5V; 25ns; SOP32; -40÷85°C
Verical:
SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 25ns 32-Pin SOP
DeviceMart:
IC SRAM 4MBIT 25NS 32SOP
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IS61C5128AS-25QLI Integrated Silicon SolutionISSI | 当前型号 | 当前型号 |
IS61C5128AS-25QLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI | 完全替代 | IS61C5128AS-25QLI和IS61C5128AS-25QLI-TR的区别 |